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存储器大厂下半年全力投入3D NAND主力发展

作者:admin  来源:博板堂  发表时间:2016/5/9 11:14:14  热度:969℃

存储器业者开始集中对3D NAND Flash进行投资,未来3D NAND Flash可望成为储存装置的主流。预估从2017年起,市场上将会出现许多采用3D NAND Flash的大容量手机与PC储存设备。

据ET News报导,3D NAND Flash具有比2D NAND更高的速度与稳定度,三星电子(Samsung Electronics)在Galaxy S7上,首度搭载3D NAND Flash技术的通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)芯片。

东芝(Toshiba)决定在日本三重县四日市增建一座3D NAND Flash工厂,未来3年总计将投资3,600亿日圆(约33.27亿美元)。由于尚未确定是否与新帝(SanDisk)共同合资,工期与产能目前无明确消息。

2014年9月东芝曾宣布拆除原本的四日市工厂(200mm),将其改建为300mm厂房,用于进行3D NAND Flash量产,厂房的完工与量产时程订在2016年上半。此刻传出东芝将再度投资建设新厂,业界认为,东芝有意集中全力发展3D NAND Flash。

SK海力士目前完成48层3D NAND Flash的研发,位于韩国清州的M12厂将正式转换成生产3D NAND Flash的厂房,目前已开始进行36层3D NAND Flash存储器量产,规划将每片矽晶圆切割为3万片。


此外,SK海力士位于韩国利川的新厂房M14共有两层楼,2016年已开始进行无尘室的建设,未来这里也将用于3D NAND Flash的量产。


美光(Micron)目前正将位于新加坡的2D NAND Flash工厂10X转换为3D专用厂房,计划在2016年中之后启动量产体系。


英特尔(Intel)在大陆大连投资6.5兆韩元(约56.84亿美元),将系统半导体工厂转换成3D NAND Flash工厂,预定2016年下半启动量产。未来英特尔也可能在此生产与美光共同研发的3D XPoint存储器。


最早建立3D NAND Flash量产体系的三星也决定追加投资。目前在大陆西安工厂已是10万片的产能全满。业界预估,2017年三星位于韩国平泽厂的18产线,也会加入量产3D NAND Flash的行列。


业界表示,2016年下半以后,所有半导体业者都将具备量产3D NAND Flash的生产能力,因此搭载3D NAND Flash的手机与固态硬碟(SSD)出货量将爆发式成长。


上游设备业界也可望受惠于3D NAND Flash带动的投资热潮。专家预测,在3D NAND Flash堆叠的制程中,用于蚀刻与蒸镀的设备需求将会成长;2016年用于垂直堆叠构造中,检验晶圆的设备也可望进入商用化。


但在DRAM方面,由于DRAM的价格持续下跌,业者除了进行小规模投资,用于制程转换之外,似乎没有大规模的新增投资计划。